1nm军备竞赛只不过，是芯片厂商的文字游戏

为12nm，甚至是10nm。[13]

在HotChips31（2019年）上，惠普公司研究公司总裁Philip Wong注记示，那时候多少石墨烯代注记的只是系统设计者上的迭代，就像车后型号一样不具备一致含意，所以请不要将路由与也就是说是提供系统设计者的名称误解。[14]

睽违一年，惠普公司促销主任Godfrey Cheng也认定，从0.35μm（350nm）开始，石墨烯二进采行就依然真正代注记电学宏观了，只是一种从业人员系统化化专有名词。他与Mark Bohr的论据一致，普遍认为传统工艺路由能够一种正因如此新的描述化语言。[15]

没有人有人投身于到冷笑话中会的惠普，在2021年7月月“反击”，导入正因如此新的取名为体系，将先前的10nm Enhanced SuperFin更名为Intel 7，将7nm更名为Intel 4，不久之后延续这种取名为方式将分别叫作Intel 3、Intel 20Å、Intel 18Å（Å即罗伯茨，1罗伯茨=10石墨烯）。[16]

这一次，惠普也转到了冷笑话的行列，甚至还带入一种罗伯茨级的取名为方式将。另外，按照已经有量度下，的确时会出新现1.8nm、1.3nm、0.9nm之类的二进采行，罗伯茨还不致小数点的出新现，一举两得。

2011年~2025年三大产品MOS路由对比注记 资料来源丨国海证券研究组形同员、多于川网络连接网组形同员、各公司官网

03偏差的弧线

为什么说是三星电子和惠普公司是在玩乐冷笑话？

也就是说是上，一开始电容器尺寸和二极管半截距是小于的，且与石墨烯二进采行相尤其其所[17]。但从1997年开始，基于石墨烯二进采行的传统MOS路由取名为原理已依然与二极管也就是说是的电容器尺寸相尤其其所，并且在14nm之后，这些二进采行就仅仅不不存在任何电学上的含意了，仅仅略低于一个重新命名[18]。假若几何缩放真的并不能够与也就是说是特征微小启动时，那么2015年，业界就时会进入1nm采行造时代。[19]

在2015年前多于低于1nm？愉快的梦幻，布源丨ExtremeTech

以2011年为例，惠普在22nm路由上切换为FinFET在结构上，其电容器尺寸为26nm，半间距为40nm，鳞片则为8nm。[20]

MOS、半截距和门极尺寸对比注记，布源丨IEEE

之后改回没有人有人电学含意的石墨烯二进采行的方式将其实是有迷惑性的，一方面，时会让人普遍认为是电学几何上的复采行品，另一方面，时会让人误二阶器件系统设计者早已曾达到电学也就是说是。[21]

惠普、三星电子、惠普公司二极管反射率对比布，布源丨WikiChip Analysis

通过对比发现，同一代MOS的二极管反射率惠普大概是惠普公司的一倍。当惠普将其10nm更名为Intel 7时，二极管反射率仍然是与惠普公司7nm相当的。[22]

对惠普公司来说是，效率较上一代有增加，这一二进采行也与电学毫不相关，即便不在正确的已经有对其所点上，这样叫也只不过原因。

业内人士声称新，将惠普的MOS切换为“等效路由”（EN），预定惠普原规划的7nm的EN值为4.1nm，介于三星电子、惠普公司的5nm和3nm之间；惠普原规划的5nm的EN值为2.4nm，介于三星电子、惠普公司的3nm和2nm之间。[23]

Tom's Hardware声称新，对于不了二阶内情的人，惠普的10nm Superfin架构听出去不下于AMD使用的惠普公司7nm，这是很强值得注意的。[24]

不过仍然能够声称新的是，惠普的10nm的确晚了一些，那时候三星电子和惠普公司的二极管反射率早已跃进惠普，落后和挤牙刷是不争的事实，甚至惠普现任CEO帕特·基辛格也认定了这种落后，所以那时候惠普将希望都押注在了Intel 20Å，即原2nm上。[25]

2021年相同MOS路由的二极管反射率对比，布源丨AnandTech

04新的电脑游戏规章

既然运用石墨烯二进采行举例来说是MOS误导性那么强，有什么更优二阶吗？IEEE一篇篇文章中会提议采用LMC反射率举例来说是度值器件基本系统设计者，LMC反射率举例来说是分别为三个部分：范式二极管反射率DL、主存储器反射率DM、主存储器与范式二极管间连接反射率DC。

范式二极管反射率、主存储器反射率、数据传输反射率趋势布，布源丨IEEE

虽然业界更特别强调用喜欢的标签来促销自己的系统设计者，但LMC反射率举例来说是作为一种通用语言，并不能够更为均衡地举例来说是器件大厂之间的系统设计者进步。[26]

Mark Bohr则是提议对2 bit NAND（4个二极管）和SFF（Scan Flip Flop，显像触发器）反射率展开综合量度，并提议每个芯片大厂在提到传统工艺路由时，都以MTr/mm²（百万二极管每平方毫米）为单位曝光“NAND+SFF”的反射率举例来说是，同时考虑到传统工艺相同，最出色还可以再显然报告SRAM单元尺寸。[10]

惠普普遍认为更为科学的加权，布源丨Intel

虽然Mark Bohr在前的提议确有一定道理，但让大公司对手匿名二极管反射率并上来自己规章走，并不是一件能引起从业人员认同的事情。

反观三星电子和惠普公司，运用冷笑话失败逆袭后，又在反射率慢慢地跃进惠普，自此之后唆使对手改回是不现实的，所以惠普才要带入出新一种完正因如此相同的符号。

从那时候来看，三大产品都将押注2nm/Intel 20Å，新一轮电玩乐即将打响。

References：

[1] 中会国科学院兰州化学电学研究组形同员科普网站：“石墨烯”的种概念.2010.2.26._2784926.html

[2] SoC官网：

[3] 器件从业人员注意到：本土化精良MOS传统工艺梳理.2019.9.30._components/23/37805.shtml

[4] 器件从业人员注意到：惠普公司与三星电子的新战场.2020.10.27.

[5] 泛林器件设备系统设计者：Nerissa Draeger助手：正因如此包围电容器在结构上将取代FinFET.2021.1.21.

[6] Moore, G.E. ,“Cramming More Components onto Integrated Circuits”. Electronics.1965,38(8): pp.114-117.

[7] WikiChip：Technology Node._node

[8] DIGITIMES：从业人员注意到：昂贵的器件电脑游戏.2021.12.21.+process

[9] Semiconductor Engineering：Big Trouble At 3nm.2018.8.21.

[10] Intel：Let’s Clear Up the Node Naming Mess.2017.3.28.#gs.st2vcj

[11] EDN China：正因如此球首次亮相10nm传统工艺，惠普如何毛毛传统工艺路由的二进采行电脑游戏.2017.9.21.

[12] 新智元：牙刷厂变天！惠普10nm落后，7nm难产，「白色巨人」要靠「代工」营生？.2021.10.21.

[13] EETimes China：Intel 7nm改回为Intel 4看似，用5年重现旧日异邦？.2021.7.29.

[14] PCGames：TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is”.2019.9.10.

[15] 快科技：Intel眼中会的“假7nm” 惠普公司：N7MOS路由取名为遵循实质上、确非电学宏观.2020.2.25.

[16] 见IN：惠普较慢MOS传统工艺和封装系统设计者创新.2021.7.27._ccFOvAz92WQ

[17] IEEE：A BETTER WAY TO MEASURE PROGRESS IN SEMICONDUCTORS.2020.7.21.

[18] 点心板：7nm或许是指二极管的哪部分？14nm是7nm的四倍？.2020.7.13.

[19] ExtremeTech：How Are Process Nodes Defined?. 2021.2.12.

[20] 至顶头条：已经有既已失效，我们该用什么原理举例来说是器件进步？.2020.7.24.

[21] T. N. Theis and H.-S. P. Wong, "The end of Moore’s law: A new beginning for information technology", Comput. Sci. Eng., vol. 19, no. 2, pp. 41-50, Mar. 2017.

[22] EEjournal：No More Nanometers It’s Time for New Node Naming.2020.7.23.

[23] 见IN：新闻界论据 | 系统设计者派炼狱人物转回惠普：看似也就是说是是这样的伪命题.2021.2.22._zKWqDrXYaKMPA

[24] Tom's Hardware：Forget 10nm? Intel May Change CPU Naming Scheme.2021.4.1.

[25] AI前线：惠普：再给我五年，重回颠峰！.2021.7.27._w04xjg

[26] H. . -S. P. Wong et al., "A Density Metric for Semiconductor Technology [Point of View]," in Proceedings of the IEEE, vol. 108, no. 4, pp. 478-482, April 2020, doi: 10.1109/JPROC.2020.2981715.

本文来自微信社会公众号“放大蜡烛”（ID：guokr233），笔记：付斌，编辑：李拓，36氪经使用权发布。

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